Chip có khả năng tự phục hồi vô hạn

Đội ngũ các nhà nghiên cứu và kĩ sư tại Viện Công nghệ California (Caltech) mới đây vừa phát triển được các mẫu chip có khả năng tự hồi phục chỉ trong vòng một vài mili giây. Các con chip này có khả năng tự hồi phục ngay cả trong trường hợp hỏng transistor hay các nguyên nhân từ nguồn điện cung cấp.

Các kĩ sư của Caltech đã chứng minh khả năng này của con chip thông qua việc phá hủy các bộ khuyếch đại bên trong con chip bằng các tia laser năng lượng cao. Chỉ trong vòng chưa đến 1 mili giây, con chip đã có thể tự hồi phục và hoạt động bình thường do các bộ khuyếch đại không bị phá hoại có khả năng lấp vào các phần bị phá hủy.

Con chip này có kích thước nhỏ chỉ bằng đồng xu nhưng được trang bị rất nhiều cảm biến được dùng để theo dõi điện áp, công suất, nhiệt độ, cường độ dòng điện. Đội ngũ chuyên gia cũng xây dựng các ứng dụng mạch tích hợp chuyên dụng – Application Specific Integrated Circuit (ASIC) – hoạt động giống như bộ não của hệ thống. Các cảm biến sẽ đưa dữ liệu vào ASIC còn ASIC chịu trách nhiệm phân tích để tính toán hiệu năng tổng thể và xem có phải đưa ra điều chỉnh nào cho cơ chế truy xuất của hệ thống hay không.

Hiện các kĩ sư chưa lập trình các ASIC cho tất cả các trường hợp có thể xảy ra. Thay vào đó, ASIC mới chỉ có khả năng đưa ra các giải pháp dựa vào dữ liệu nó được cảm biến cung cấp. Con chip của Caltech hiện có khả năng tự hồi phục trong bốn trường hợp: 1. biến thể tĩnh do biến thể của các thành phần phụ khác nhau gây ra; 2.các vấn đề lão hóa do sự thay đổi của thuộc tính nội bộ của hệ thống; 3. biến thể ngắn hạn gây ra bởi điều kiện môi trường; 4. các thành phần bảng mạch bị hủy hoại do vô tình hay cố ý (thí nghiệm mà Caltech demo nói trên thuộc trường hợp này).

Một điều đáng tiếc là hiện chưa rõ khi nào đội ngũ của Caltech có thể áp dụng công nghệ này rộng rãi trong các sản phẩm thực tế. Tuy nhiên, tương lai về những con chip với khả năng tự phục hồi là cũng rất thú vị và đáng mong đợi.

Tham khảo: Theverge, Paritynews

Add a Comment

Your email address will not be published. Required fields are marked *